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CVD氣相沉積介紹

日期:2025-01-24 05:14
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摘要:
CVD氣相沉積介紹
  CVD(CVD氣相沉積)技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類,包括低壓CVD(LPCVD),常壓CVD(APCVD),亞常壓CVD(SACVD),超高真空CVD(UHCVD),等離子體增強CVD(PECVD),高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后,還有金屬有機物CVD(MOCVD),根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類,這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài),在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過,容易引起混淆的是,有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
  過去,對LPCVD(CVD氣相沉積)和APCVD*常使用的反應(yīng)室是一個簡單的管式爐結(jié)構(gòu),即使在今天,管式爐也還被廣泛地應(yīng)用于沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎(chǔ)薄膜(氧氣中有硅元素存在將會*終形成為高質(zhì)量的SiO2,但這會大量消耗硅元素;通過硅烷和氧氣反應(yīng)也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進行)。
  而且,*近,單片淀積工藝推動并導(dǎo)致產(chǎn)生了新的CVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。這些新的結(jié)構(gòu)中絕大多數(shù)都使用了等離子體,其中一部分是為了加快反應(yīng)過程,也有一些系統(tǒng)外加一個按鈕,以控制淀積膜的質(zhì)量。在PECVD和HDPCVD系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是通過調(diào)節(jié)能量,偏壓以及其它參數(shù),可以同時有沉積和蝕刻反應(yīng)的功能。通過調(diào)整淀積:蝕刻比率,有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。
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